新洁能 NCE40P70K高性能P 沟道功率 MOSFET，助力高电流场景高效运行

由新洁能（NCE）推出的NCE40P70K是一款高性能P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术设计，旨在提供极低的导通电阻（RDS(ON)）与低栅极电荷特性，特别适用于需要处理大电流负载的电子电路应用中。NCE40P70K凭借其优异的电气性能和稳定的质量表现，成为电源管理及功率开关领域的理想选择。

南山电子自2020年起成为新洁能（NCE）的正式授权代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列产品，我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息，请联系南山电子官网在线客服。

核心电气参数：

NCE40P70K在设计上注重平衡功率损耗与电流处理能力，其主要规格指标如下：

• 漏源电压 (VDS)：-40V
• 连续漏极电流 (ID)：-70A
• 脉冲漏极电流 (IDM)：-200A
• 导通电阻 (RDS(ON))：最大值 10mΩ @ VGS=-10V（典型值为 7.5mΩ）
• 栅源电压 (VGS)：±20V
• 最大功耗 (PD)：130W

典型应用领域：

• 电源开关：适用于各类电源控制电路中的高压侧开关。
• 大电流负载开关：用于电池保护板、电机驱动等需要大电流通断的场合。
• DC/DC转换器：在降压或升压变换器中作为功率开关管，提升转换效率。

采购信息：

• 封装：TO-252-2L；
• 包装方式：Ø330mm编带包装:
• 最小包装量：2.5k/盘